GaN SiC三代半功率器件測試系統(tǒng)
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人氣：127 發(fā)布時間：2024-12-18 13:36 關(guān)鍵詞：GaN器件測試 SiC器件測試 三代半器件測試 功率器件測試 產(chǎn)品型號：PMST-2200V 應(yīng)用領(lǐng)域：電磁輻射 產(chǎn)品價格：1000 想了解更多產(chǎn)品詳情，請 |
隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢，成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競相追逐的“風(fēng)口”。在實際應(yīng)用中，搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng)通常能夠在短短十多分鐘內(nèi)將電池電量從10%快速充至80%。然而，SiC功率器件在運行時會承受復(fù)雜的電-磁-熱-機械應(yīng)力，其電壓電流能力的提升，開關(guān)速度和功率密度的提升，對器件的性能和可靠性提出了更高的要求。
功率半導(dǎo)體器件在使用過程中可能會因為多重因素導(dǎo)致失效，而這些不同因素所引發(fā)的失效形式也各不相同。因此，對失效機理進行深入分析以及準(zhǔn)確辨識缺陷，是提高器件性能的重要前提。
功率半導(dǎo)體的性能表征，最早主要以測試二極管和三極管等分立器件的DC參數(shù)為主。MOSFET和SiC、GaN 出現(xiàn)后，測試技術(shù)研究的重點放在 GaN HEMT、SiC MOS、IGBT單管、PIM（即IGBT模組）等類型的產(chǎn)品上。根據(jù)測試條件不同，功率器件被測參數(shù)可分為兩大類：靜態(tài)特性測試和動態(tài)特性測試。靜態(tài)特性測試主要是表征器件本征特性指標(biāo)，如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流ICES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、二極管壓降VF、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)等；動態(tài)參數(shù)是指器件開關(guān)過程中的相關(guān)參數(shù)，這些參數(shù)會隨著開關(guān)條件如母線電壓、工作電流和驅(qū)動電阻等因素的改變而變化，如開關(guān)特性參數(shù)、體二極管反向恢復(fù)特性參數(shù)及柵極電荷特性參數(shù)等，主要采用雙脈沖測試進行。
靜態(tài)參數(shù)是動態(tài)指標(biāo)的前提，目前功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)特性主要是依據(jù)半導(dǎo)體器件公司提供的Datasheet來進行測試。然而，功率半導(dǎo)體器件常被應(yīng)用于高速開通及關(guān)斷工作狀態(tài)下，器件絕大部分失效機理都發(fā)生在動態(tài)變化過程中，因此動、靜態(tài)參數(shù)的測試對功率半導(dǎo)體器件都很重要。此外，以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件耐壓等級更高，且經(jīng)過串/并聯(lián)應(yīng)用于更高電壓/功率等級的裝備，對制造過程各階段的測試要求也提出了新的挑戰(zhàn)：
靜態(tài)測試高電流電壓等級與閾值電壓漂移
隨著功率半導(dǎo)體器件（如MOSFET、IGBT、SiC MOS）規(guī)格的不斷提升，靜態(tài)測試中的電流電壓等級要求也越來越高，要求測試系統(tǒng)必須能夠穩(wěn)定、準(zhǔn)確地提供和測量高電壓和大電流。同時還需要在測試過程中減少施加應(yīng)力的時間，以防止器件過熱損壞。此外，SiC閾值電壓漂移是功率器件測試過程中常見的問題，閾值電壓漂移會對功率器件的開關(guān)特性產(chǎn)生影響，可能會引起器件的誤導(dǎo)通，從而導(dǎo)致器件的損壞。
圖：JEDEC JEP183、CASAS中Sic VGS(th)的測試標(biāo)準(zhǔn)
動態(tài)測試寄生電感與寄生電容的影響
及測試設(shè)備要求
在功率半導(dǎo)體器件的動態(tài)測試過程中，寄生電感和寄生電容對測試結(jié)果影響巨大。寄生電感主要來源于PCB連接線以及器件封裝，而功率器件的電流變化率大，使寄生電感對測試結(jié)果也會產(chǎn)生影響。同時，雙脈沖測試電路中除了器件的結(jié)電容外，續(xù)流二極管和負(fù)載電感上均存在寄生電容，這兩個寄生電容對器件的開通過程有明顯影響。此外，功率器件的開關(guān)速度高，要求測試設(shè)備具有較高的帶寬以準(zhǔn)確采集開關(guān)波形的上升沿和下降沿。
全測試流程節(jié)點增加
對于PIM和IPM等功率模塊，實際是由單管組合的，單管的良率和質(zhì)量將直接影響模塊的成本和質(zhì)量，為降低模塊的封裝和制造成本，業(yè)內(nèi)已經(jīng)考慮增加測試節(jié)點和測試左移，從 CP+FT 測試，變?yōu)?CP + KGD + DBC + FT測試。
圖：功率半導(dǎo)體器件測試流程節(jié)點
為應(yīng)對行業(yè)對功率半導(dǎo)體器件的測試需求，普賽斯儀表以核心源表為基礎(chǔ)，正向設(shè)計、精益打造了一站式高精密電壓-電流的功率半導(dǎo)體電性能測試解決方案，廣泛適用于從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的權(quán)方位應(yīng)用。設(shè)備具有高精度與大范圍測試能力（10kV/6000A）、多元化測試功能(直流IV/脈沖IV/CV/跨導(dǎo)）、高低溫測試能力（-55℃~250℃），滿足功率半導(dǎo)體行業(yè)對測試能力、精度、速度及穩(wěn)定性的高要求。
圖：PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
圖：PSS TEST靜態(tài)高低溫半自動測試系統(tǒng)
圖：PMST-MP 靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)
圖：PMST-AP 靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)
精準(zhǔn)始于源頭。普賽斯儀表作為帥先自主研發(fā)、國內(nèi)手家將高精密源/測量單元SMU產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，經(jīng)過長期深入的研發(fā)應(yīng)用，已經(jīng)完全掌握了源測量單元的邏輯與算法，確保測試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。PMST功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)系列產(chǎn)品采用模塊化的設(shè)計結(jié)構(gòu)，集成自主研發(fā)的高壓測試單元、大電流測試單元、小功率測試單元，為用戶后續(xù)靈活添加或升級測量模塊以適應(yīng)不斷變化的測量需求，提供了極大便捷和最優(yōu)性價比，具有高度易用性和可擴展性，任何工程師都能快速掌握并使用。
目前，普賽斯儀表功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)已經(jīng)銷往全國并出口海外，被國內(nèi)外多家半導(dǎo)體頭部企業(yè)認(rèn)可。我們堅信，通過持續(xù)的技術(shù)研發(fā)與國際合作，秉持創(chuàng)新Y領(lǐng)、質(zhì)量為先的理念，不斷突破技術(shù)壁壘，優(yōu)化產(chǎn)品性能，未來普賽斯儀表將為全球客戶提供更加精準(zhǔn)、高效、可靠的功率半導(dǎo)體測試解決方案。GaN SiC三代半功率器件測試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢
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